Новый материал, кристаллическая решетка которого имеет одноатомную толщину, был найден учеными из университета Кентукки, США, университета Даймлера, Германия, и Института электронных структур и лазеров (IESL), Греция. Этот материал, состоящий из атомов кремния, бора и азота, может, в отличие от графена, иметь проводящие или полупроводниковые свойства. И эта особенность позволит новому материалу отодвинуть графен на задний план в области разработки новых цифровых электронных технологий, сообщает Украинский телекоммуникационный портал.
Согласно имеющимся данным, новый материал Si2BN существует пока только в теории в виде математических моделей, образцы такого материала еще ни разу не были получены даже в лабораторных условиях. “Тем не менее, в составе материала присутствуют только недорогие и очень распространенные химические элементы, а сам материал должен обладать высокой стабильностью” – рассказывает Мэдху Менона (Madhu Menon), доктор философии в области физики из университета Кентукки, – “И этом материал имеет перспективу стать одной из самых сильных альтернатив графену, который сейчас пытаются использовать в качестве замены кремнию в электронике”.
Новый материал Si2BN имеет металлическую природу, но путем добавки атомов других элементов ширина его запрещенной зоны может быть изменена так, что материал может стать или проводником или полупроводником. Графен также можно превратить в полупроводник путем воздействия на него механическим усилием или внешним магнитным полем, но такой подход абсолютно неприемлем при создании полупроводниковых устройств, солнечных батарей и т.п.